バルクマイクロマシニング

バルクマイクロマシニングとは、MEMS(マイクロマシン)作製技術の一つ。 基板もしくは厚膜(数十μm以上)を加工してMEMSデバイスを作製する技術の総称。(参考:サーフェイスマイクロマシニング)

主にSOI(Silicon On Insulator)ウエハや基板そのものを加工してデバイスを作製する。

従来は水酸化カリウム(KOH)や水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などを用いたウエットエッチングによる加工が主流であったが、ICP-RIEによる深掘りエッチングが可能となり、これが主流となった。 ボッシュプロセスの発明により、シリコンに対する垂直な深掘りエッチングが可能となった。