ヒ化カドミウム
ヒ化カドミウム(ヒかカドミウム、英: cadmium arsenide)は化学式 Cd3As2 で表される無機化合物。結晶構造は正方晶系で、エネルギーギャップ 0.14 eV の狭ギャップ半導体である。室温において電子移動度が非常に大きい、n型半導体の一種であり、アモルファス半導体材料として使用される。ネルンスト効果を示し、これを応用して遠赤外線検出器や圧力センサに使用される。また、受光素子で磁気抵抗効果のように使用することができる[1]。テルル化カドミウム水銀のドーパントとして使用することができる。
| ヒ化カドミウム | |
|---|---|
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別称 二ヒ化三カドミウム | |
| 識別情報 | |
| CAS登録番号 | 12006-15-4 |
| EC番号 | 234-484-1 |
| 特性 | |
| 化学式 | Cd3As2 |
| モル質量 | 487.08 g/mol |
| 外観 | 暗灰色固体 |
| 密度 | 3.031 |
| 水への溶解度 | 加水分解 |
| 危険性 | |
| NFPA 704 |
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4
0
|
| 許容曝露限界 | 5マイクログラム(Cd)/m3 |
| 特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。 | |
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