ヒ化アルミニウム
ヒ化アルミニウム（ヒかアルミニウム、英: aluminium arsenide）は、化学式 AlAs で表される、アルミニウムのヒ化物である。主に半導体材料として用いられる。格子定数はヒ化ガリウムやヒ化アルミニウムガリウムと同じであり、バンドギャップはヒ化ガリウムより広い。
| ヒ化アルミニウム | |
|---|---|
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| 識別情報 | |
| CAS登録番号 | 22831-42-1  |
| PubChem | 89859 |
| 特性 | |
| 化学式 | AlAs |
| モル質量 | 101.9031 g/mol |
| 外観 | 橙色の結晶 |
| 密度 | 3.81 g/cm3 |
| 融点 |
1740 ℃ |
| バンドギャップ | 2.12 eV (間接)[1] |
| 熱伝導率 | 0.9 W/(cm*K) (300 K) |
| 屈折率 (nD) | 3 (赤外線) |
| 構造 | |
| 結晶構造 | 閃亜鉛鉱構造 |
| 空間群 | T2d-F-43m |
| 配位構造 | 四面体形 |
| 特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。 | |
脚注
- Ioffe database
- L. I. Berger "Semiconductor materials" CRC Press, 1996 ISBN 0849389127, 9780849389122 (available on google books), p. 126
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